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IXTA6N100D2 IXTP6N100D2
IXTH6N100D2
10,000
Fig. 13. Capacitance
5
Fig. 14. Gate Charge
4
3
V DS = 500V
I D = 3A
I G = 10mA
1,000
100
10
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
100.00
V DS - Volts
Fig. 15. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
100.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 16. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
T J = 150oC
T C = 75oC
Single Pulse
10.00
R DS(on) Limit
100μs
10.00
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1ms
1.00
0.10
DC
10ms
100ms
1.00
0.10
DC
1ms
10ms
100ms
10
100
1,000
10
100
1,000
1.00
0.10
0.01
V DS - Volts
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Impedance
V DS - Volts
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_6N100D2(6C)8-27-09
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